amd 仮想 通貨k8 カジノIntelとMicron、20ナノメートルプロセス技術の128GビットNANDフラッシュメモリ仮想通貨カジノパチンコキコーナ 阪神 尼崎 スロット
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パチスロ サクラ大戦４ 歌変化 IntelとMicron Technologyは12月6日（現地時間）、20ナノメートルプロセスルールに基づく128GビットのMLC NANDフラッシュメモリを発表した。小型で大容量のストレージが求められるスマートフォン、タブレット端末、SSD、デジタル家電などへの搭載を想定する。
20ナノメートルプロセスルールに基づくフラッシュメモリのダイ
両社の合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジー（IMFT）では、20ナノメートルプロセスルールに基づく128GビットNANDフラッシュメモリのダイ8個を使用し、指先ほどのサイズのパッケージに収めることで、業界で初めて1Tビットのデータストレージを実現した。
平面セル構造のNAND型フラッシュメモリに初めてHi－Kメタルゲートを採用し、微細化の問題を克服しながら、旧世代と同等の性能と信頼性も実現したとする。この128GビットNAND型フラッシュメモリはONFI 3.0規格に準拠し、333Mバイト／秒の転送速度に対応する。
また両社は、2011年12月より20ナノメートルプロセスルールに基づく64GビットのNANDフラッシュメモリの量産を開始した。128Gビット品のサンプル出荷は2012年1月に行う予定で、2012年前半に量産を開始する計画だ。
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